Semiconductors
DraftVersion 0.1.1Updated 2026-10-09
CC BY 4.0. Source: OntoCraft Korean Industrial Term Registry · License text
Written in Korean
Devices and products 11
- 3D NAND3D NAND flashV낸드 · 수직 적층 낸드
NAND 셀을 웨이퍼 위로 여러 층 쌓아 같은 면적에 더 많은 비트를 담는 구조입니다. 층수가 늘수록 깊은 구멍을 뚫고 채우는 공정이 어려워집니다.
- 공정 노드technology node테크 노드 · 세대
공정 세대를 가리키는 이름입니다. 예전에는 최소 선폭을 뜻했지만 지금은 세대를 구분하는 이름에 가깝습니다.
- 다이die칩 · 다이스
웨이퍼 위에 같은 회로를 반복해 찍은 하나하나의 사각 영역입니다. 자르기 전에는 웨이퍼 안의 좌표로, 자른 뒤에는 칩으로 다룹니다.
- 메모리 반도체memory semiconductor메모리 · 메모리 칩
데이터를 저장하는 일을 맡는 반도체입니다. 전원이 꺼지면 내용이 사라지는 휘발성 메모리와 남는 비휘발성 메모리로 나눕니다.
- 메모리 셀memory cell셀 · 비트 셀
메모리에서 한 비트 또는 몇 비트를 저장하는 가장 작은 회로 단위입니다. 셀 배열의 밀도가 칩 용량과 원가를 정합니다.
- 웨이퍼wafer실리콘 웨이퍼 · 기판
단결정 실리콘을 얇은 원판으로 잘라 연마한 기판입니다. 팹에서 공정과 데이터를 추적하는 기본 단위가 됩니다.
- DRAMdynamic random-access memory디램 · D램
트랜지스터 하나와 커패시터 하나로 셀을 만들고 커패시터의 전하로 값을 저장하는 휘발성 메모리입니다. 전하가 새어 나가므로 주기적으로 다시 써 주어야 합니다.
- HBMhigh bandwidth memory고대역폭 메모리
DRAM 다이를 여러 장 쌓고 실리콘 관통 전극으로 이어 넓은 버스로 데이터를 주고받게 만든 메모리입니다. 주로 AI 가속기와 같은 패키지 안에 붙여 씁니다.
- KGDknown good die검증된 양품 다이
패키지에 넣기 전에 웨이퍼 상태에서 시험해 양품으로 확인한 다이입니다. 여러 다이를 쌓는 제품은 한 장만 불량이어도 패키지 전체를 버리므로 중요합니다.
- MOSFETmetal-oxide-semiconductor field-effect transistor모스펫 · MOS 트랜지스터
게이트에 건 전압으로 소스와 드레인 사이의 전류를 켜고 끄는 트랜지스터입니다. 메모리 셀과 주변 회로의 기본 소자입니다.
- NAND 플래시NAND flash memory낸드 · 낸드 플래시
셀을 직렬로 이어 블록 단위로 지우는 비휘발성 메모리입니다. SSD와 모바일 저장장치의 주 저장 매체로 씁니다.
Front-end wafer processing 17
- 감광액photoresistPR · 포토레지스트
빛을 받은 부분의 성질이 바뀌어 현상액에 녹거나 남는 고분자 재료입니다. 식각이나 이온주입 때 가림막 구실을 합니다.
- 건식 식각dry etching플라스마 식각 · 드라이 에치
플라스마의 이온과 라디칼로 막을 깎는 식각입니다. 한 방향으로 곧게 깎을 수 있어 미세 무늬에 씁니다.
- 산화thermal oxidation산화 공정 · 옥시데이션
높은 온도에서 실리콘 표면을 산소나 수증기와 반응시켜 산화막을 기르는 공정입니다.
- 세정wafer cleaning클린 · 웨트 세정
공정 사이에 웨이퍼 표면의 입자, 유기물, 금속 오염을 씻어 내는 공정입니다. 전공정에서 가장 자주 반복되는 단계입니다.
- 식각etching에칭 · 에치
감광액이나 하드 마스크로 가리지 않은 부분의 막을 깎아 내는 공정입니다.
- 열처리anneal어닐 · 어닐링
웨이퍼를 가열해 주입한 불순물을 활성화하거나 막의 결함을 회복시키는 공정입니다.
- 이온주입ion implantation임플란트 · IMP
불순물 원소를 이온으로 만들어 전기장으로 가속해 웨이퍼에 박아 넣는 공정입니다. 넣는 양과 깊이를 정밀하게 맞출 수 있습니다.
- 전공정front-end process웨이퍼 공정 · 팹 공정 · FAB 공정
빈 웨이퍼 위에 소자와 배선을 만드는 공정 전체입니다. 산화, 포토, 식각, 증착, 이온주입, 연마, 세정을 수백 단계 되풀이합니다.
- 증착thin film deposition디포 · 박막 증착
웨이퍼 위에 절연막, 금속막 같은 얇은 막을 입히는 공정을 통틀어 부르는 말입니다.
- 포토 공정photolithography포토 · 리소그래피 · 노광
감광액을 바른 웨이퍼에 마스크의 회로 무늬를 빛으로 옮기는 공정입니다. 도포, 노광, 현상 단계로 이루어집니다.
- 포토마스크photomask마스크 · 레티클
노광 때 회로 무늬를 담아 빛을 통과시키거나 반사하는 원판입니다. 층마다 다른 마스크를 씁니다.
- 확산 공정diffusion process확산 · 퍼니스 공정
여러 장의 웨이퍼를 고온 로에 넣어 산화, 불순물 확산, 열처리를 하는 공정을 묶어 부르는 말입니다.
- ALDatomic layer deposition원자층 증착
원료 기체를 번갈아 넣어 원자 한 층씩 막을 쌓는 증착 방식입니다. 느리지만 깊은 구조 안에도 고른 두께로 덮습니다.
- BEOLback end of line배선 공정
전공정 가운데 소자 위에 금속 배선과 절연막을 쌓는 뒤쪽 단계입니다. 패키징을 뜻하는 후공정과 다릅니다.
- CMPchemical mechanical polishing화학적 기계 연마 · 평탄화
연마 패드와 슬러리로 웨이퍼 표면을 깎아 평평하게 만드는 공정입니다. 다음 층의 노광 초점을 맞추려면 필요합니다.
- CVDchemical vapor deposition화학 기상 증착
기체 원료를 반응시켜 생긴 물질을 웨이퍼 표면에 쌓는 증착 방식입니다. 원료를 함께 흘려 계속 쌓으므로 원료를 번갈아 넣는 ALD보다 빠르지만, 깊은 구조의 안쪽까지 고른 두께로 덮기는 어렵습니다.
- EUV 노광extreme ultraviolet lithographyEUV · 극자외선 노광
파장이 아주 짧은 극자외선으로 미세한 무늬를 찍는 노광 방식입니다. 진공 안에서 거울로 빛을 반사시켜 씁니다.
Back-end test and packaging 11
- 다이싱wafer dicing소잉 · 절단
웨이퍼를 다이 단위로 자르는 공정입니다. 날로 자르는 방식과 레이저로 자르는 방식이 있고, 자른 뒤에는 웨이퍼 맵에서 양품으로 표시된 다이만 집어 패키징으로 넘깁니다.
- 리페어memory redundancy repair레이저 리페어 · 구제
불량 셀이 있는 행이나 열을 미리 만들어 둔 여분 셀로 바꿔 다이를 살리는 작업입니다. 웨이퍼 테스트 결과를 받아 수행합니다.
- 번인burn-in번인 테스트 · BI
높은 온도와 전압을 걸어 초기에 고장 날 제품을 미리 걸러 내는 시험입니다.
- 범프bump솔더 범프 · 마이크로 범프
다이 표면에 만든 작은 금속 돌기로, 다이와 기판 또는 다이와 다이를 전기적으로 잇습니다.
- 웨이퍼 테스트wafer probe testEDS · 프로브 테스트 · 웨이퍼 소트
자르기 전 웨이퍼의 다이마다 탐침을 대어 전기적 동작을 시험하고 양품과 불량을 가르는 공정입니다.
- 패키지 테스트package test최종 테스트 · 파이널 테스트 · FT
패키지로 만든 뒤 제품 규격대로 동작하는지 다시 시험하는 공정입니다. 결과에 따라 속도 등급을 나누기도 합니다.
- 패키징packaging패키지 · 어셈블리
다이를 외부 회로와 전기적으로 잇고 충격과 습기에서 보호하도록 감싸는 공정입니다.
- 플립칩flip chipFC
다이를 뒤집어 범프로 기판에 바로 붙이는 접속 방식입니다. 선이 짧아 신호가 빠르고 접점을 많이 둘 수 있습니다.
- 하이브리드 본딩hybrid bonding직접 본딩 · Cu-Cu 본딩
범프 없이 구리 패드와 절연막을 맞붙여 다이나 웨이퍼를 잇는 접합 방식입니다. 접점 간격을 더 좁힐 수 있습니다.
- 후공정back-end process패키지 공정 · 조립·테스트
전공정을 마친 웨이퍼를 시험하고 잘라 패키지로 만들고 다시 시험하는 공정 전체입니다.
- TSVthrough-silicon via실리콘 관통 전극
다이를 위아래로 뚫어 금속으로 채운 수직 전극입니다. 쌓은 다이끼리 짧은 경로로 신호를 주고받게 합니다.
Fab operations 15
- 공정 흐름process flow라우트 · 플로 · 공정 순서
한 제품이 웨이퍼 투입부터 완료까지 거치는 공정 단계의 순서입니다. 같은 장비 군을 여러 번 다시 들르는 재진입 구조가 특징입니다.
- 디스패칭dispatching배정 · 로트 배정
장비가 비었을 때 기다리는 로트 가운데 무엇을 먼저 처리할지 정하는 일입니다.
- 레시피recipe공정 레시피 · 장비 레시피
장비가 한 공정 단계를 처리할 때 따르는 온도, 압력, 가스 유량, 시간 같은 조건의 묶음입니다.
- 로드 포트load portLP
장비 앞에서 FOUP을 받아 문을 열고 웨이퍼를 장비 안으로 넘기는 장치입니다.
- 로트lotLot · 랏
같은 공정을 함께 거치도록 묶은 웨이퍼 무리입니다. 보통 FOUP 하나에 담기고 팹 안에서 추적하는 기본 단위가 됩니다.
- 로트 이력lot genealogy계보 · 트레이서빌리티 · 웨이퍼 이력
로트와 웨이퍼가 어느 장비, 챔버, 레시피, 시각에 처리되었는지 이어 놓은 기록입니다. 수율 문제를 장비로 거슬러 올라갈 때 씁니다.
- 사이클 타임cycle timeCT · TAT · 공정 소요 시간
로트가 투입부터 완료까지 걸린 시간입니다. 처리 시간보다 장비 앞에서 기다리는 시간이 큰 몫을 차지합니다.
- 재공work in processWIP · 공정 중 재고
투입은 되었지만 아직 완료되지 않아 팹 안에 머물러 있는 웨이퍼나 로트입니다.
- 팹wafer fabFAB · 웨이퍼 팹 · 제조 라인
웨이퍼 전공정을 수행하는 공장입니다. 클린룸, 공정 장비, 반송 설비, 유틸리티 설비로 이루어집니다.
- 홀드lot hold로트 홀드 · 보류
이상이 의심되는 로트를 다음 공정으로 넘기지 않고 멈춰 두는 조치입니다. 판정이 끝나면 풀거나 재작업, 폐기로 보냅니다.
- AMHSautomated material handling system자동 반송 시스템 · 물류 자동화
FOUP을 장비와 보관 설비 사이로 자동으로 옮기는 반송 시스템 전체입니다.
- FOUPfront opening unified pod풉 · 웨이퍼 캐리어
300mm 웨이퍼를 담아 바깥 공기와 막아 둔 채 옮기는 앞문 달린 밀폐 용기입니다.
- MESmanufacturing execution system제조실행시스템
로트의 공정 진행, 장비 상태, 레시피, 홀드 같은 생산 실행 정보를 기록하고 통제하는 시스템입니다. 팹 데이터의 기준 원장 구실을 합니다.
- OHToverhead hoist transport천장 반송 · 오버헤드 호이스트
천장 레일을 따라 달리며 FOUP을 장비 로드 포트에 내리고 올리는 반송 차량입니다.
- Q타임 제한queue time limitQ-time · 큐타임
앞 공정을 마친 뒤 다음 공정을 시작할 때까지 넘지 말아야 할 대기 시간입니다. 넘으면 표면이 산화되거나 오염되어 재작업이나 폐기로 이어집니다.
Equipment and process control 12
- 가상 계측virtual metrologyVM
측정하지 않은 웨이퍼의 공정 결과를 장비 데이터로 예측하는 방법입니다. 표본만 재는 실제 계측의 빈자리를 메우며, 예측 모델은 실측값과 견주어 계속 다시 맞춰야 합니다.
- 공정 장비process tool장비 · 툴 · 설비
웨이퍼에 공정을 수행하는 장비 한 대입니다. 로드 포트, 이송 로봇, 하나 이상의 챔버로 이루어집니다.
- 관리도control chartSPC 차트
측정값을 시간 순서로 찍고 관리 한계선을 그어 공정이 벗어났는지 보는 그래프입니다.
- 모니터 웨이퍼monitor wafer테스트 웨이퍼 · 더미 웨이퍼 · MW
제품이 아닌 시험용 웨이퍼로, 장비 상태를 점검하거나 공정 결과를 측정하려고 흘립니다.
- 챔버process chamberCH · 공정 챔버
장비 안에서 실제 공정이 일어나는 밀폐 공간입니다. 같은 장비의 챔버끼리도 결과가 다를 수 있어 따로 추적합니다.
- 챔버 매칭chamber matching툴 매칭
같은 공정을 맡는 챔버들이 같은 결과를 내도록 조건과 하드웨어를 맞추는 일입니다.
- 트레이스 데이터equipment trace data센서 데이터 · 장비 로그
공정 중 장비 센서가 짧은 주기로 남기는 온도, 압력, 전력, 유량 같은 시계열 값입니다.
- APCadvanced process control고급 공정 제어
측정 결과와 모델을 써서 공정 조건을 자동으로 고치는 제어를 통틀어 부르는 말입니다.
- FDCfault detection and classification이상 감지·분류
장비 트레이스 데이터를 실시간으로 보아 정상과 다른 처리를 찾아내고 원인 유형을 나누는 시스템입니다. 웨이퍼 결과가 아니라 장비 신호를 봅니다.
- OOCout of control관리 이탈
측정값이 관리 한계를 벗어나거나 관리 규칙에 걸려 공정에 원인 있는 변화가 생겼다고 보는 상태입니다.
- R2R 제어run-to-run controlRun-to-Run · R2R
앞 로트나 앞 웨이퍼의 측정 결과를 보고 다음 처리의 레시피 값을 조금씩 바꾸는 제어 방식입니다.
- SPCstatistical process control통계적 공정 관리
공정 결과값을 통계적으로 감시해 우연한 흔들림과 원인이 있는 변화를 구분하는 관리 방법입니다.
Quality and metrology 13
- 결함defect디펙트 · 결점
웨이퍼 위의 입자, 긁힘, 무늬 이상처럼 소자의 동작을 해칠 수 있는 물리적 이상입니다. 전기적 불량과 바로 같지는 않습니다.
- 결함 검사defect inspection인스펙션 · 디펙트 검사
광학 장비나 전자빔으로 웨이퍼 표면을 훑어 결함의 위치와 크기를 찾는 일입니다. 막의 치수를 재는 계측과 구분합니다.
- 계측metrology측정 · 메트롤로지
막 두께, 선폭, 층간 정렬 같은 공정 결과값을 재는 일입니다. 정해진 지점만 표본으로 잽니다.
- 공통성 분석commonality analysis장비 공통성 분석
불량 로트들이 공통으로 거친 장비, 챔버, 레시피, 시간대를 찾아 원인 후보를 좁히는 분석입니다.
- 다이 수율die yield프로브 수율 · EDS 수율
웨이퍼 테스트에서 양품으로 판정된 다이가 전체 다이 가운데 차지하는 비율입니다.
- 막 두께film thicknessTHK · 두께
증착, 산화, 연마 뒤에 남은 막의 두께입니다. 웨이퍼 안의 여러 지점을 재어 평균과 균일도를 봅니다.
- 불량 분석failure analysisFA
불량 칩을 단면 절단, 전자현미경, 전기 측정으로 파고들어 물리적 원인을 찾는 일입니다.
- 빈binBin · 빈 코드
시험 결과에 따라 다이나 칩을 나눠 담는 분류 번호입니다. 양품 빈과 불량 유형별 빈을 둡니다.
- 수율yieldYield
투입한 것 가운데 양품으로 나온 것의 비율입니다. 어느 단계에서 세느냐에 따라 라인 수율, 다이 수율, 패키지 수율로 나눕니다.
- 오버레이overlayOVL · 층간 정렬 오차
새로 찍은 층의 무늬가 아래 층의 무늬와 어긋난 정도입니다. X와 Y 방향으로 나눠 재며, 어느 층을 기준으로 정렬했는지 함께 알아야 원인을 찾을 수 있습니다.
- 웨이퍼 맵wafer map빈 맵 · 맵
다이별 시험 결과나 결함 위치를 웨이퍼 모양 그대로 그린 그림과 그 데이터입니다. 무늬를 보면 원인 공정을 짐작할 수 있습니다.
- CDcritical dimension선폭 · 임계 치수
패턴에서 소자 특성을 좌우하는 가장 중요한 치수입니다. 주로 선의 폭이나 구멍의 지름을 잽니다.
- YMSyield management system수율 관리 시스템
검사, 계측, 테스트, 로트 이력 데이터를 모아 수율 저하 원인을 찾도록 돕는 분석 시스템입니다.
Fab utilities 13
- 가스 캐비닛gas cabinetG/C · 가스 공급 장치
특수 가스 용기를 넣고 누출을 감시하며 장비로 공급하는 밀폐 함입니다. 함 안의 공기를 배기로 계속 빼내 새어 나온 가스가 작업 공간으로 퍼지지 않게 합니다.
- 공정 가스process gas가스
증착, 식각, 이온주입 같은 공정에 원료나 분위기로 들어가는 기체입니다. 대량으로 쓰는 벌크 가스와 소량의 특수 가스로 나눕니다.
- 공정 배기process exhaust배기 · 덕트 배기
장비에서 나오는 가스와 증기를 빨아내 처리 설비로 보내는 배기 계통입니다. 일반, 산성, 알칼리, 유기 배기처럼 성질별로 나눕니다.
- 공정 케미컬process chemical케미컬 · 약액
세정, 습식 식각, 연마, 현상에 쓰는 액체 화학 약품입니다. 기체로 들어가는 공정 가스와 따로 공급하고 관리하며, 쓰고 난 약품은 공정 폐수로 나눠 모읍니다.
- 공정 폐수fab wastewater폐수 · 산·알칼리 폐수
세정과 습식 공정에서 나온 물로, 성분별로 나눠 모아 처리하거나 되살려 씁니다.
- 로컬 스크러버point-of-use abatementPOU 스크러버 · 가스 처리 장치
장비 가까이에서 유해 배기가스를 태우거나 씻어 독성을 줄이는 장치입니다.
- 서브팹sub-fab하부층 · 유틸리티층
클린룸 아래층에서 진공 펌프, 배기 처리 장치, 공급 배관 같은 장비 지원 설비가 놓이는 공간입니다.
- 청정도 등급cleanroom class클래스 · ISO 등급
단위 부피의 공기에 든 크기별 입자 수로 클린룸의 깨끗한 정도를 나눈 등급입니다.
- 초순수ultrapure waterUPW · DI워터
이온, 유기물, 입자, 용존 가스를 거의 다 걷어 낸 물입니다. 세정과 습식 공정에 대량으로 씁니다.
- 클린룸cleanroom청정실
공기 중 입자 수, 온도, 습도, 압력을 정해진 범위로 관리하는 작업 공간입니다.
- 특수 가스specialty gas스페셜티 가스 · 특수 고압가스
독성, 가연성, 부식성이 있어 따로 관리하며 소량 공급하는 공정 가스입니다.
- AMCairborne molecular contamination분자 오염 · 가스상 오염
입자가 아니라 산, 염기, 유기물 같은 기체 분자로 클린룸 공기에 섞인 오염입니다. 필터로 걸러지지 않아 따로 감시합니다.
- FFUfan filter unit팬 필터 유닛
클린룸 천장에 붙어 공기를 고성능 필터로 걸러 아래로 내려보내는 장치입니다.
Data standards 8
- 장비 상태equipment state툴 상태 · E10 상태
어느 시점에 장비가 생산 중인지, 대기 중인지, 정비로 멈췄는지 나타내는 값입니다. 상태 변경 이력이 가동률 계산의 원자료가 됩니다.
- GEM300GEM300300mm 표준
300mm 팹 자동화를 위해 캐리어, 작업, 로드 포트 관리 규격을 GEM에 더한 표준 묶음입니다.
- HSMShigh-speed SECS message servicesSECS 전송
SECS 메시지를 TCP/IP 네트워크로 보내는 전송 규격입니다. 예전의 직렬선 전송을 대신하며, 메시지 내용과 장비 동작 규칙은 SECS-II와 GEM이 따로 정합니다.
- Interface AInterface AEDA · 장비 데이터 수집 규격
SECS/GEM과 별도로 장비의 대량 센서 데이터를 고속으로 꺼내 가는 통로를 정한 규격 묶음입니다.
- SECS/GEMSECS/GEMGEM · 장비 통신 표준
공장 호스트와 장비가 상태, 알람, 레시피, 데이터를 주고받는 메시지 규칙입니다. 메시지 형식, 전송, 장비 동작 모델 규격을 묶어 부릅니다.
- SEMI 표준SEMI standardsSEMI 규격
반도체 장비와 재료 업계 단체가 만드는 장비 통신, 재료, 안전, 용기 규격의 묶음입니다.
- SEMI E10SEMI E10E10 · 장비 상태 분류
장비 시간을 생산, 대기, 엔지니어링, 계획 정지, 비계획 정지, 미가동으로 나누는 규격입니다. 장비 가동 지표를 회사끼리 같은 뜻으로 세게 합니다.
- STDFstandard test data format테스트 데이터 형식
반도체 시험 장비가 시험 결과를 남기는 이진 파일 형식입니다. 다이별 빈과 측정값을 담습니다.